إنتل وSK Hynix تبحثان مشروعاً مشتركاً لإنتاج ذاكرة HBM في الولايات المتحدة لأول مرة

كشفت شبكة CNBC أن شركتي إنتل الأمريكية وSK Hynix الكورية الجنوبية في محادثات لإنشاء مشروع مشترك لتصنيع ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) داخل الولايات المتحدة، بما قد يشمل استئجار مصنع إنتل في ولاية أوهايو وفق ما أُفيد.

وتُعدّ ذاكرة HBM من أكثر مكونات أجهزة الذكاء الاصطناعي ندرةً وحيويةً، إذ تُستخدم بشكل أساسي في وحدات معالجة الرسوميات من Nvidia وAMD المخصصة لتدريب النماذج الكبيرة، وتُهيمن عليها حالياً شركات كورية جنوبية في مقدمتها SK Hynix وسامسونج.

ويأتي التحرك في سياق مساعي واشنطن لتقليص الاعتماد على سلاسل توريد أشباه الموصلات الآسيوية، بعد سنوات من الضغوط الجيوسياسية التي كشفت هشاشة الاعتماد على مصادر خارجية لمكونات تُعدّ استراتيجية.

ولم يُؤكد أيٌّ من الطرفين رسمياً إجراء المحادثات وفق ما أُفيد، غير أن مصادر مطّلعة أشارت إلى أن الصفقة المحتملة قد تُشكّل نقطة تحوّل في جغرافيا إنتاج ذاكرة الذكاء الاصطناعي.

ماذا تعني هذه المصطلحات؟

- ذاكرة HBM (High Bandwidth Memory): نوع من الذاكرة عالية السرعة مصمّمة خصيصاً للحوسبة المكثّفة كتدريب نماذج الذكاء الاصطناعي، تتميز بنقل كميات ضخمة من البيانات بسرعة فائقة مقارنةً بالذاكرة التقليدية.

- مشروع مشترك (JV): شراكة تجارية يُنشئ فيها طرفان أو أكثر كياناً مشتركاً يتشاركون فيه الاستثمار والمخاطر والعوائد.

- مصنع إنتل في أوهايو: منشأة إنتاج رقائق ضخمة بنتها إنتل بدعم من قانون CHIPS الأمريكي، وتُعدّ من أكبر مصانع الرقائق في الغرب.